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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Comparar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
49
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
39
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2465
2245
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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