RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
7.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2245
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link