Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

Pontuação geral
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    40 left arrow 52
    Por volta de -30% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    15 left arrow 9.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    11.2 left arrow 8.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    52 left arrow 40
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.8 left arrow 15.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.0 left arrow 11.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2179 left arrow 2100
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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