RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
52
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
40
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2100
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link