RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
44
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
15.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3729
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link