RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Confronto
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
44
Intorno -76% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
25
Velocità di lettura, GB/s
11.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2293
3729
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Confronto tra le RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link