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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razões a considerar
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3444
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
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