RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3444
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link