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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
65
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
65
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
1921
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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