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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Comparar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
44
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
44
42
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
2011
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB Comparações de RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-045.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
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