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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Pontuação geral
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Razões a considerar
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
1,769.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,482.7
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,769.9
8.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
2271
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Comparações de RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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