RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Comparez
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Note globale
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Note globale
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
1,769.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
4,482.7
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,769.9
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2271
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Comparaison des RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link