RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wynik ogólny
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
44
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,769.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,482.7
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,769.9
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2271
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link