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Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
比较
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
总分
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
总分
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
44
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.8
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
1,769.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
32
读取速度,GB/s
4,482.7
9.8
写入速度,GB/s
1,769.9
8.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2271
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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INTENSO M418039 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
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