Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    32 left arrow 44
    Около -38% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.8 left arrow 4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.6 left arrow 1,769.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,482.7 left arrow 9.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,769.9 left arrow 8.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    525 left arrow 2271
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения