RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
32
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
10.9
Скорость записи, Гб/сек
12.2
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2370
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link