RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB против Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
7.4
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1770
3285
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link