Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

総合得点
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 44
    周辺 -5% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 8.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    13.0 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    2069 left arrow 2011
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