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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
44
左右 -5% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
42
读取速度,GB/s
13.0
12.8
写入速度,GB/s
8.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2011
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
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