RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
44
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3242
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link