RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de -6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
14.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2498
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link