RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
35
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
2498
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link