RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
44
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2871
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link