RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Pontuação geral
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
70
72
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
3,071.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
70
72
Velocidade de leitura, GB/s
4,372.7
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
3,071.4
8.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
1593
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparações de RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link