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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Comparar
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
34
Por volta de 24% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
13
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2030
2584
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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