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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Compara
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2030
2584
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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