RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
70
72
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
3,071.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
72
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
15.3
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
1593
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link