RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
72
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
3,071.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
70
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,372.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
3,071.4
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1593
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link