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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
126
Por volta de 77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
126
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
12.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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