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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
126
En 77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
126
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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