RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
126
Wokół strony 77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
126
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link