RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
126
Около 77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
126
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link