RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
126
Около 77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
126
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
12.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link