RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
44
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
39
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2834
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link