RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
43
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
3206
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link