RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
43
Intorno -26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
34
Velocità di lettura, GB/s
11.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3206
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link