RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3514
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link