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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Comparar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
34
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
11.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2269
2245
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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