RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
50
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
50
Velocidade de leitura, GB/s
13.0
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2069
2386
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link