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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
50
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
50
读取速度,GB/s
13.0
10.6
写入速度,GB/s
8.2
8.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2386
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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