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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2307
2709
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparações de RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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