RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2307
2709
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link