RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
44
Por volta de -132% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.2
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
19
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
20.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
18.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3905
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link