RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
44
99
Por volta de 56% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
99
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
6.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
1358
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link