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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.2
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
44
Por volta de -38% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
2017
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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