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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
49
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
12.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
6.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
1433
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
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