RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
46
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
12.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
10.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
2325
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link