RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
49
Por volta de -63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3047
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link