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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
10.1
16.5
写入速度,GB/s
7.8
12.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3047
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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