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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
49
Por volta de -36% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
36
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
2935
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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