RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
49
Por volta de -133% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
21
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3380
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Corsair CMY16GX3M2A2133C11 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link